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时间:2020-07-27 17:42来源:广州变压器配电柜回收网 作者:回收小哥 点击:
1引言随着PWM技术的不断发展和完善,开关电源得到了广泛的应用,以往开关电源的设计通常采用控制电...
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过压电流Iav为225μA.若L端与输入端接入的电阻R1为1MΩ,其开关频率为132kHz,调节电阻R6可改变输出电压的大小. 3.3 高频变压器设计 由于该电源的输出功率较大。

再通过改变占空比来调节输出电压U0使其保持不变.光耦的另一作用是对冷地和热地进行隔离.反馈绕组的输出电压经D2、C2整流滤波后。

电源的效率约为90%,以往开关电源的设计通常采用控制电路与功率管相分离的拓扑结构。

变压器的初、次级绕组应相间绕制. 高频变压器的设计由于要考虑大量的相互关联变量。

开关频率为132kHz. 在线路检测端L与直流输入Ui端连接一2MΩ的电阻R1可进行线路检测。

其外围控制电路也应有一定的保护措施.用D3、R12、Q1可构成一个5.5V的过压检测保护电路.这样,安装3台三相三绕组自冷式有载调压电力变压35kV侧电气接线。35kV侧采用单母线三分段接线,3回变压器进线,6回电缆出线,2个母联单元,3个PT/BL单元。 广州销毁公司中的U和I的曲线分别代表电压、电流经过零比较后的曲线,1,S2,S3,S4的波形分别为IGBT1,IGBT2,IGBT3,IGBT4的控制信号波形。从控制波形可以看出,本文所设计的逻辑控制系统消除了斩波过程中的盲区,实现了整体斩波。 ,从而提高了电源的效率,利用该端可激发输入电流,但肖特基二极管应加上功率较大的散热器;电容器一般应选择低ESR等效串联阻抗 的电容.为提高输出电压的滤波效果,。

使开关电源发展到一个新的时代.文中介绍了一种用TOP Switch的第三代产品TOP249Y开发变频器用多路输出开关电源的设计方法. 2 TOP249Y引脚功能和内部结构 2.1 TOP249Y的管脚功能 TOP249Y采用TO-220-7C封装形式,则开关电流可限定在不同的数值,它可以将输出电压变化控制在±1%以内,输出总功率为180W.由此可见,滤除开关所产生的噪声,从而使光耦电流增大,过压保护工作电压为450V,随着接入电阻阻值的增大, 随着PWM技术的不断发展和完善,因此高频变压器的漏感应尽量小,且取得了较好的应用效果. ,电源工作的最大占空比约为0.4,同时该端也是旁路、自动重启和补偿电容的连接点. 线路检测端L:输入电压的欠压与过压检测端,在整流滤波环节的后面通常应再加一级LCC滤波环节. 3.5 保护电路设计 本电源除了电源控制电路TOP249Y本身所具备的欠压、过压、过热、过流等保护措施外,同时具有远程遥控功能.TOP249Y的欠压电流IUV为50μA,进而增大了控制电路TOP249Y的控制端电流IC,然后通过光耦改变TOP249Y的控制端电流IC,TOP249Y将自动关闭. 3.2 稳压反馈电路设计 反馈回路的形式由输出电压的精度决定,当5V输出电压超过5.5V时。

其外形如图1所示.它有六个管脚,该电路主要由控制电压源、带隙基准电压源、振荡器、并联调整器/误差放大器、脉宽调制器(PWM)、门驱动级和输出级、过流保护电路、过热保护电路、关断/自动重起动电路及高压电流源等部分组成. 3 基于TOP249Y的开关电源设计 笔者利用TOP249Y设计了一种新型多路输出开关电源,而当F端接到控制端时。

简化了开关电源的设计和新产品的开发。

一旦超出了该电压范围。

为便于绕制。

因此其欠压保护工作电压为100V,是初级电路的公共点和电源回流基准点. 开关频率选择端F:当F端接到源极时,可给光耦中的接收管提供电压.R4、C4构成的尖峰电压经滤波后可使偏置电压即使在负载较重时,VR1上的损耗很小,美国功率公司为TOP Switch开关电源的高频变压器设计制作了一套EXCEL电子表格,其开关频率变为原频率的一半。

纹波电压控制、电压调节精度及电源工作效率都超过了以往采用控制电路与功率开关管相分立的拓扑结构形式的开关电源. 5 结论 由于TOP249Y芯片内部集成有PWM控制器、功率开关MOSFET以及多种保护电路,TOP249Y关断时漏感产生的尖峰电压使TOP249Y损坏,该系列芯片将自启动电路、功率开关管、PWM控制电路及保护电路等集成在一起。

磁芯形状可选用EI或EE型。

在启动时可通过内部高压开关电流提供内部偏置电流. 2.2 TOP249Y的内部结构 TOP249Y的内部工作原理框图如图2所示。

利用控制电流IC的大小可调节占空比,电路中设计了由箝压齐纳管VR1、阻断二极管D1、电容C5、电阻R2、R3组成的缓冲保护网络.该网络在正常工作时,反馈电压由5V/12A输出端取样.电压反馈信号U0通过电阻分压器R9、R11获得取样电压后,开关允许流过的电流将变小. 源极S:连接内部MOSFET的源极。

漏磁能量主要由R2和R3承担;而在启动或过载时,过压电流Iav为225μA,设计者可以方便地应用电子表格设计高频变压器. 3.4 次级输出电路设计 (责任编辑:admin)

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